相変化材料

構造をメモリに使用するというアイデアは、スタンフォード・オブシンスキー (Stanford Ovshinsky)の独創的な研究により1960年代にあらわれました。 オブシンスキーが不揮発性の電気メモリとして4元カルコゲニド合金を提案しました。 初期のPCM（相変化メモリ：PCM）の大きなスイッチング電力要件は、そのアプリケーションを制限していました。 1980年代に松下電器（現パナソニック）が相変化メモリ用のGe-Sb-Te合金を提案し、それを光メモリ（DVD-RAM）に利用したことが大きな発展につながりました。 これにより、光ディスクのストレージ容量が50GBを超えるようになりました。 また、同じGe-Sb-Te合金は現在、ストレージクラスの不揮発性メモリの形で採用されています （代表的な例としてIntelのOptaneメモリサブシスムがあります）。 この新しい形式のストレージクラスメモリは、DRAMで10倍以内のレイテンシと書き込み速度を備えています。 FLASHメモリと比較して不揮発性PCRAMの低遅延と高速により、DRAMとの互換性が高いアクセス速度を備えた中間形式のメモリとして使用できます。 最近、界面相変化メモリ（iPCM）と呼ばれる新しい形式のPCMが提案されました。 iPCMの電力要件は、従来のPCMの10分の1以下です。 上の図は、iPCMメモリで切り替えるために提案されたメカニズムを示しています。